《Ieee Electron Device Letters》雜志影響因子：4.1。
期刊Ieee Electron Device Letters近年評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)趨勢圖
期刊影響因子趨勢圖
以下是一些常見的影響因子查詢?nèi)肟冢?
（1）Web of Science：是查詢SCI期刊影響因子的權(quán)威平臺(tái)，收錄全球高質(zhì)量學(xué)術(shù)期刊，提供詳細(xì)的期刊引證報(bào)告，包括影響因子、分區(qū)、被引頻次等關(guān)鍵指標(biāo)。
（2）?Journal Citation Reports (JCR)：JCR是科睿唯安旗下的一個(gè)網(wǎng)站，提供了期刊影響因子、引用數(shù)據(jù)和相關(guān)指標(biāo)。用戶可以在該網(wǎng)站上查找特定期刊的影響因子信息。
（3）中科院SCI期刊分區(qū)表：提供中科院分區(qū)的期刊數(shù)據(jù)查詢，包括影響因子和分區(qū)信息。
《Ieee Electron Device Letters》雜志是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社主辦的一本以工程技術(shù)-工程：電子與電氣為研究方向，OA非開放（Not Open Access）的國際優(yōu)秀期刊。
該雜志出版語言為English，創(chuàng)刊于1980年。自創(chuàng)刊以來，已被SCIE（科學(xué)引文索引擴(kuò)展板）等國內(nèi)外知名檢索系統(tǒng)收錄。該雜志發(fā)表了高質(zhì)量的論文，重點(diǎn)介紹了ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC在分析和實(shí)踐中的理論、研究和應(yīng)用。
?學(xué)術(shù)地位：在JCR分區(qū)中位列Q2區(qū)，中科院分區(qū)為工程技術(shù)大類2區(qū)，ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程：電子與電氣小類2區(qū)。
期刊發(fā)文分析
機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
| 機(jī)構(gòu) | 發(fā)文量 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 84 |
| UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 70 |
| XIDIAN UNIVERSITY | 56 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY | 49 |
| HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLO... | 48 |
| PEKING UNIVERSITY | 42 |
| UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOL... | 42 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT... | 36 |
| IMEC | 35 |
| NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY | 35 |
國家 / 地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
| 國家 / 地區(qū) | 發(fā)文量 |
| CHINA MAINLAND | 577 |
| USA | 282 |
| South Korea | 174 |
| Taiwan | 123 |
| Japan | 65 |
| England | 60 |
| India | 49 |
| Belgium | 37 |
| GERMANY (FED REP GER) | 37 |
| France | 32 |
期刊引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計(jì)
| 期刊引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 865 |
| APPL PHYS LETT | 812 |
| J APPL PHYS | 318 |
| ADV MATER | 217 |
| NANO LETT | 150 |
| ACS APPL MATER INTER | 142 |
| SCI REP-UK | 138 |
| NATURE | 132 |
| APPL PHYS EXPRESS | 119 |
期刊被引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計(jì)
| 期刊被引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
| IEEE T ELECTRON DEV | 1587 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
| JPN J APPL PHYS | 594 |
| APPL PHYS LETT | 460 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 445 |
| APPL PHYS EXPRESS | 366 |
| SEMICOND SCI TECH | 277 |
| J APPL PHYS | 268 |
| SOLID STATE ELECTRON | 257 |
| ECS J SOLID STATE SC | 249 |
文章引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計(jì)
| 文章引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
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| 1.85 kV Breakdown Voltage in Lateral Field... | 24 |
| Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barrier Diodes... | 23 |
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